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TDS5052B 示波器
美国TDS5052B 示波器详细技术指标：
| 技术参数 |
| 垂直系统 |
| |
TDS5032B/TDS5034B |
TDS5052B/TDS5054B |
TDS5104B |
| 输入通道 |
2/4 |
2/4 |
4 |
| 模拟带宽(-3DB)5mV/div-1/div |
350 MHz |
500MHz |
1GHz |
| 计算上升时间5mV/div(典型值) |
1.15ns |
800ps |
300ps |
| 硬件带宽限制值 |
150MHz或20MHz |
| 输入藕合 |
AC,DC,GND |
| 输入阻抗,1MΩ |
±1% |
| 输入阻抗 50Ω |
±1% |
±1% |
±2.5% |
| 输入灵敏度 1MΩ |
1 mV/div 至 10 V/div |
| 输入灵敏度 50Ω |
1 mV/div 至 1 V/div |
| 垂直分辨率 |
8 位(平均后<11位) |
| 最大输入电压 1MΩ |
150 V CAT I,≤400V峰值.超过200kHz以上时以20dB/+进制降低额定值至 9VRMS |
| 最大输入电压 50Ω |
5VRMS,峰值 <±30V |
5VRMS,峰值 <±30V |
<100 mV/div <1 VRMS
≥100mV/div <5 VRMS |
| 直流增益精度 |
1.5%,偏置量设为0 V |
| 偏置范围 1MΩ |
1 mV/div -99.5 mV/div±1V
100 mV/div -1 V/div±10V
1.01 V/div -10V/div±100V |
| 偏置范围 50Ω |
1mV/div -99.5mV/div±1V 100mV/div-1V/div±10V |
1mV/div99.5mV/div±1V
100mV/div-1V/div±10V |
1mV/div -50mV/div±0.5V
50.5mV/div-99.5V/div±0.25V
100mV/div-500mV/div±5V
505mV/div-1V/div±2.5V |
| 相等垂直刻度设置上任意两条通道间的隔离 |
≤100MHz时为≥100:1,>100MHz 至额定带宽十为 ≥30:1 |
| 时基系统 |
| |
所有机型 |
| 时基范围 |
200 ps/ 至 1000s/div |
| 时基延时范围 |
(s/div x-10) 至 1000s |
| 通道间时间偏差校正范围 |
±75 ns |
| 时基精度 |
15ppm |
| 时间变化量(Delta-time)测量精度 |
(0.06/取样速率 + 15 ppm x|读数|RAM |
| 触发抖动(RMS) |
8psRMS(典型值) |
| 采样率和延时的长期精度 |
在任何≥1 ms间隔上为 ±ppm |
| 捕获系统 |
| |
TDS5032B/5052B |
TDS5034B/5054B/5104B |
| 适时取速率 |
--- |
|
| 1 条通道(最大值) |
5 GS/S |
5 GS/S |
| 2 条通道(最大值) |
2.5 GS/s |
2.5 GS/s |
| 3-4 条通道(最大值) |
-- |
1.25 GS/s |
| 等效时间取样速度(最大值) |
250 GS/s |
250 GS/s |
| 每条通道的最大记录长度(标准内存配置) |
8M/4M/-- |
8M/4M/2M |
| 选项 3M |
16M/8M/-- |
16M/8M/4M |
| 最高实时分辨率时的最大持续时间(1ch) |
| |
所有机型 |
| 时间分辨率(单次) |
200 ps(5 GS/s) |
| 最大持续时间(标准内存配置) |
1.6 ms |
| 最大持续时间(选项3M) |
3.2 ms |
| 捕获方式 |
| |
所有机型 |
| FastAcq 捕获技术 |
FastAcq 捕获技术可优化仪器的动态信号分析和罕见事件捕获功能.最大FastAcq波形捕获速度为每秒100,000个波形 |
| 取样 |
捕获样值 |
| 峰值检测 |
在所有实时取样速率上捕获细毛刺(<1 ns) |
| 平均计算 |
从2至10,000个波形,包括在平均值内 |
| 包络 |
从2至2*109个波形,包括在最小/最大包络内 |
| 高分辨率 |
实时矩形波串平均功能可减少随机燥声.提高分辨率 |
| 波形数据库 |
累计波形数据库,以提供幅度,时间和记数的三维数组 |
| FastFrame 捕获技术 |
将捕获内存分段;最大触发速度率每秒>225.000个波形 |
|
 商品搜索 |
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